由于除了溝道長度調制效應的微小影響，電流相對于uDs的變化相對保持恒定，PDTC123TU晶體管的有效輸出電阻較高，這對于保持高增益電路很有幫助。
    發(fā)射極和集電極取名是由于它們分別發(fā)射和收集少數電荷載流子進入和流出基極，類似地，源極和漏極的命名也是因為它們是少數載流子流入和流出溝道的源和漏。N型溝道MOSFET的源極總是低電勢端，漏端總是高電勢端，對P型溝道依此類推，就形成了器件的互補本征特性。器件設計工程師優(yōu)化雙極型晶體管工作在正向導通有源區(qū)，與雙極型晶體管不同，MOSFET由于源極和漏極擴散濃度相同，可以使其互換而不會引起器件性能變差，具有性能完全對稱的優(yōu)勢，如圖2.19所示的fV特性曲線。在飽和區(qū)，器件遵循平方規(guī)律，與vs呈平方關系。注意到由于輸入阻抗是純電容性的，MOSFET沒有輸入柵電流。另外，箭頭總是在源端，其方向表示電流流動的方向。

           
    在N-阱P-襯底工藝中，N型溝道晶體管的俸端（也稱為body）是襯底，女口圖2.17和圖2.18所示，因此其電勢總是接在芯片的最低電位上，以保持所有的襯底PN結反向偏置。同時，P型溝道晶體管的體端(也稱為body)是N-阱（圖2.20），可以由設計工程師選擇任意電勢連接。通常情況下，體和源端短接（或者體端連接到最正的電勢），以防止源極和體極、漏極和體極之間的PN結正向導通。

              
    改變體端電壓可以調節(jié)溝道電導，所以體端也稱為背柵，由此引起漏電流的變化也稱為體效應。對于P型溝道MOSFET晶體管（圖2.20），降低體端電壓將從源端吸引更多的空穴到溝道中，有效降低了溝電阻，增加了電流。通常情況下，N型溝道和N型溝道器件的源端體端PN結在正向偏置情況下將引起更大的電流，反之亦然。更為重要的是體電壓改變了功函數，只有柵極電壓與源極電壓之差大于功函數的情況下，才會使得柵極下面的區(qū)域反型，其影響可以計人對閾值電壓的影響。