型號(hào):AON5802B
類(lèi)別:FET - 陣列
制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc
封裝:6-WFDFN 裸露焊盤(pán)
描述:MOSFET N-CH 30V 7.2A DFN2X5
系列:-
FET型:2 N 溝道(雙)共漏
FET特點(diǎn):邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:7.2A
開(kāi)態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:19 毫歐 @ 7A,4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444111最大222:1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1150pF @ 15V
功率_最大:1.6W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝__外殼:6-WFDFN 裸露焊盤(pán)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:6-DFN(2x5)
包裝:帶卷 (TR)
廠 商:AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
描 述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
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