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型號:  廠家:  批號:  封裝:  精確搜索 
詳細(xì)參數(shù)
型號:BS7067N06LS3G
類別:FET - 單
制造商:Infineon Technologies
封裝:8-PowerVDFN
描述:MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
系列:OptiMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:20A
開態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:6.7 毫歐 @ 20A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:2.2V @ 35µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:62nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:4800pF @ 30V
功率_最大:78W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:8-PowerVDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
包裝:帶卷 (TR)
PDF 下載
廠 商:EDAL [ Edal Industries, Inc. ]
描 述:SUB-MINIATURE SILICON HIGH VOLTAGE FAST RECOVERY RECTIFIER
大 。56K
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封裝
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操作
查詢更多BS7供應(yīng)信息         發(fā)布時間:1970/1/1 8:00:00

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