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型號:  廠家:  批號:  封裝:  精確搜索 
詳細參數(shù)
型號:BSC009NE2LS
類別:FET - 單
制造商:Infineon Technologies
封裝:8-PowerTDFN
描述:MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8
系列:OptiMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:25V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:100A
開態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:0.9 毫歐 @ 30A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:2.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:126nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:5800pF @ 12V
功率_最大:96W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:8-PowerTDFN
供應商設備封裝:PG-TDSON-8
包裝:帶卷 (TR)
PDF 下載
廠 商:INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述:n-Channel Power MOSFET
大 小:1574K
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批號
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封裝
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