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型號：  廠家：  批號：  封裝：  精確搜索 
詳細參數(shù)
型號：BSC440N10NS3 G
類別：FET - 單
制造商：Infineon Technologies
封裝：8-PowerTDFN
描述：MOSFET N-CH 100V 18A TDSON-8
系列：OptiMOS™
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：標準
漏極至源極電壓333Vdss444：100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A
開態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：44 毫歐 @ 12A，10V
Id時的Vgs333th444111最大222：3.5V @ 12µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.8nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：810pF @ 50V
功率_最大：29W
安裝類型：表面貼裝
封裝__外殼：8-PowerTDFN
供應商設備封裝：PG-TDSON-8（5.15x6.15）
包裝：帶卷 (TR)
PDF 下載
廠 商：INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述：n-Channel Power MOSFET
大 �。�1574K
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單價/備注
操作
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