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型號(hào):  廠家:  批號(hào):  封裝:  精確搜索 
詳細(xì)參數(shù)
型號(hào):BSZ018NE2LS
類別:FET - 單
制造商:Infineon Technologies
封裝:8-PowerTDFN
描述:MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8
系列:OptiMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓333Vdss444:25V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:23A
開(kāi)態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:1.8 毫歐 @ 30A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444111最大222:2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:39nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2800pF @ 12V
功率_最大:2.1W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:8-PowerTDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
包裝:剪切帶 (CT)
PDF 下載
廠 商:INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述:n-Channel Power MOSFET
大 。1460K
相關(guān)型號(hào)
供貨商
型號(hào)
廠家
批號(hào)
數(shù)量
封裝
單價(jià)/備注
操作
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地址:深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟西座228室
公司實(shí)況展示
主要業(yè)務(wù)
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