型號(hào):DMG1012T-7
類別:FET - 單
制造商:Diodes Inc
封裝:SOT-523
描述:MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:630mA
開態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:400 毫歐 @ 600mA,4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444111最大222:1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:0.74nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:60.67pF @ 16V
功率_最大:280mW
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:SOT-523
供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-523
包裝:剪切帶 (CT)
廠 商:DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
描 述:COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET
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