型號:DMN2990UFA-7B
類別:FET - 單
制造商:Diodes Inc
封裝:3-XFDFN
描述:MOSFET N CH 20V 510MA
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:510mA
開態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:990 毫歐 @ 100mA,4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444111最大222:1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:0.5nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:27.6pF @ 16V
功率_最大:400mW
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:3-XFDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝:3-X2-DFN0806
包裝:剪切帶 (CT)
廠 商:DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
描 述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
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