型號:EPC1010
類別:FET - 單
制造商:EPC
封裝:7-SMD,凸引線
描述:TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
系列:eGaN®
FET型:GaNFET N 通道,氮化鎵
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:200V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:12A
開態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫歐 @ 6A,5V
Id時的Vgs333th444111最大222:2.5V @ 1.2mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:7.5nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:440pF @ 100V
功率_最大:-
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:7-SMD,凸引線
供應(yīng)商設(shè)備封裝:7-LGA(3.6x1.6)
包裝:帶卷 (TR)
廠 商:TDK [ TDK Electronics ]
描 述:Ferrite Cores For Power Supply and Signal Transformer EPC Cores
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