型號(hào):EPC1013
類(lèi)別:FET - 單
制造商:EPC
封裝:4-LGA
描述:TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE
系列:eGaN®
FET型:GaNFET N 通道,氮化鎵
FET特點(diǎn):邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓333Vdss444:150V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3A
開(kāi)態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫歐 @ 5A,5V
Id時(shí)的Vgs333th444111最大222:2.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:1.7nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:110pF @ 75V
功率_最大:-
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝__外殼:4-LGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-LGA(1.7x0.9)
包裝:帶卷 (TR)
廠(chǎng) 商:TDK [ TDK Electronics ]
描 述:Ferrite Cores For Power Supply and Signal Transformer EPC Cores
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