型號:FCB36N60NTM
類別:FET - 單
制造商:Fairchild Semiconductor
封裝:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
描述:MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK
系列:SupreMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:600V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:36A
開態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:90 毫歐 @ 18A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444111最大222:4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:112nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:4785pF @ 100V
功率_最大:312W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-263(D2Pak)
包裝:剪切帶 (CT)
廠 商:FAIRCHILD [ FAIRCHILD ]
描 述:600V N-Channel MOSFET
大 小:596K