型號(hào):FDB10AN06A0
類(lèi)別:FET - 單
制造商:Fairchild Semiconductor
封裝:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
描述:MOSFET N-CH 60V 75A TO-263AB
系列:PowerTrench®
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:75A
開(kāi)態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:10.5 毫歐 @ 75A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444111最大222:4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:37nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1840pF @ 25V
功率_最大:135W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝__外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-263AB
包裝:帶卷 (TR)
廠 商:FAIRCHILD [ FAIRCHILD ]
描 述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 60V, 265A, 2.4mヘ
大 。634K