型號(hào):FDB3860
類別:FET - 單
制造商:Fairchild Semiconductor
封裝:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
描述:MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK
系列:PowerTrench®
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6.4A
開態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:37 毫歐 @ 5.9A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444111最大222:4.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1740pF @ 50V
功率_最大:3.1W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝:D²PAK
包裝:帶卷 (TR)
廠 商:FAIRCHILD [ FAIRCHILD ]
描 述:N-Channel PowerTrench? MOSFET 100 V, 30 A, 37 mΩ
大 。310K