型號(hào):FDC6506P
類別:FET - 陣列
制造商:Fairchild Semiconductor
封裝:SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6
描述:MOSFET P-CHAN DUAL 30V SSOT6
系列:PowerTrench®
FET型:2 個(gè) P 溝道(雙)
FET特點(diǎn):邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.8A
開態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:170 毫歐 @ 1.8A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444111最大222:3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:3.5nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:190pF @ 15V
功率_最大:700mW
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6
供應(yīng)商設(shè)備封裝:6-SSOT
包裝:帶卷 (TR)
廠 商:FAIRCHILD [ FAIRCHILD ]
描 述:Dual P-Channel Logic Level PowerTrench⑩ MOSFET
大 。208K