型號:FDS6912
類別:FET - 陣列
制造商:Fairchild Semiconductor
封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
描述:MOSFET N-CH DUAL PWM OPT 8-SOIC
系列:PowerTrench®
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點(diǎn):邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6A
開態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:28 毫歐 @ 6A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:10nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:740pF @ 15V
功率_最大:900mW
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC N
包裝:帶卷 (TR)
廠 商:FAIRCHILD [ FAIRCHILD ]
描 述:Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
大 小:225K