型號(hào):FQB44N10TM
類(lèi)別:FET - 單
制造商:Fairchild Semiconductor
封裝:TO-263-3,D²Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB
描述:MOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAK
系列:QFET™
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:43.5A
開(kāi)態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:39 毫歐 @ 21.75A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444111最大222:4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:62nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1800pF @ 25V
功率_最大:3.75W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝__外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-263-2
包裝:剪切帶 (CT)
廠(chǎng) 商:FAIRCHILD [ FAIRCHILD ]
描 述:200V N-Channel MOSFET
大 。813K