型號(hào)：GT10G131(TE12L,Q)
類別：IGBT - 單路
制造商：Toshiba
封裝：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）
描述：IGBT 400V 200A 8-SOIC
系列：-
IGBT類型：-
電壓_集電極發(fā)射極擊穿111最大222：400V
VgewwwwIc時(shí)的最大Vce111開222：2.3V @ 4V @ 200A
電流_集電極333Ic444111最大222：-
功率_最大：1W
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
安裝類型：表面貼裝
封裝__外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOP（5.5x6.0）
包裝：帶卷 (TR)
廠 商：VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述：Insulated Gate Bipolar Transistor (Trench IGBT), 100 A
大 �。�182K
