型號:IPB65R110CFD
類別:FET - 單
制造商:Infineon Technologies
封裝:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
描述:MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263
系列:CoolMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:650V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:31.2A
開態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:110 毫歐 @ 12.7A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:4.5V @ 1.3mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:118nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:3240pF @ 100V
功率_最大:277.8W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:PG-TO263
包裝:剪切帶 (CT)
廠 商:INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述:OptiMOS3 Power Transistor
大 。512K