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型號：  廠家：  批號：  封裝：  精確搜索 
詳細(xì)參數(shù)
型號：IPD600N25N3 G
類別：FET - 單
制造商：Infineon Technologies
封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
描述：MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
系列：OptiMOS™
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：250V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：25A
開態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 25A，10V
Id時的Vgs333th444111最大222：4V @ 90µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：2350pF @ 100V
功率_最大：136W
安裝類型：表面貼裝
封裝__外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO252-3
包裝：Digi-Reel®
PDF 下載
廠 商：INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述：OptiMOS?3 Power-Transistor
大 �。�316K
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供貨商
型號
廠家
批號
數(shù)量
封裝
單價/備注
操作
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