型號:NDD02N60Z-1G
類別:FET - 單
制造商:ON Semiconductor
封裝:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
描述:MOSFET N-CH 600V IPAK
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:600V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:2.2A
開態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:4.8 歐姆 @ 1A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:4.5V @ 50µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:10.1nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:274pF @ 25V
功率_最大:57W
安裝類型:通孔
封裝__外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
供應商設備封裝:I-Pak
包裝:管件
廠 商:ON [ ON SEMICONDUCTOR ]
描 述:N-Channel Power MOSFET 600 V, 4.0
大 。172K