型號(hào):NTLGD3502NT1G
類別:FET - 陣列
制造商:ON Semiconductor
封裝:6-VDFN 裸露焊盤
描述:MOSFET N-CH DUAL 20V 6-DFN
系列:-
FET型:2 個(gè) N 溝道(雙)
FET特點(diǎn):邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:4.3A,3.6A
開態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫歐 @ 4.3A,4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444111最大222:2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:4nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:480pF @ 10V
功率_最大:1.74W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:6-VDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商設(shè)備封裝:6-DFN(3x3)
包裝:剪切帶 (CT)
廠 商:ON [ ON SEMICONDUCTOR ]
描 述:Power MOSFET 20 V, 5.8 A/4.6 A Dual N−Channel, DFN6 3x3 mm Package
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