型號:NTLJS1102PTBG
類別:FET - 單
制造商:ON Semiconductor
封裝:6-WDFN 裸露焊盤
描述:MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
系列:-
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:8V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3.7A
開態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:36 毫歐 @ 6.2A,4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444111最大222:720mV @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1585pF @ 4V
功率_最大:700mW
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:6-WDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商設(shè)備封裝:6-WDFN(2x2)
包裝:帶卷 (TR)
廠 商:ON [ ON SEMICONDUCTOR ]
描 述:Power MOSFET −8 V, −8.1 A, COOL Single P−Channel, 2x2 mm, WDFN package
大 。122K