型號(hào):NTMD6601NR2G
類別:FET - 陣列
制造商:ON Semiconductor
封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
描述:MOSFET N-CH 80V 1.1A 8SOIC
系列:-
FET型:2 個(gè) N 溝道(雙)
FET特點(diǎn):邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:80V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.1A
開態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:215 毫歐 @ 2.2A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444111最大222:3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:400pF @ 25V
功率_最大:600mW
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC N
包裝:帶卷 (TR)
廠 商:ON [ ON SEMICONDUCTOR ]
描 述:Power MOSFET 80 V, 2.2 A, Dual N-Channel, SO-8
大 。103K