型號(hào):NTMD6N02R2
類(lèi)別:FET - 陣列
制造商:ON Semiconductor
封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
描述:MOSFET PWR N-CH DL 3.92A 20V 8SO
系列:-
FET型:2 個(gè) N 溝道(雙)
FET特點(diǎn):邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3.92A
開(kāi)態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:35 毫歐 @ 6A,4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444111最大222:1.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1100pF @ 16V
功率_最大:730mW
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝__外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC N
包裝:帶卷 (TR)
廠 商:ON [ ON SEMICONDUCTOR ]
描 述:Power MOSFET 6.0 Amps, 20 Volts
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