型號(hào):NTMS10P02R2
類別:FET - 單
制造商:ON Semiconductor
封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
描述:MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
系列:-
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:8.8A
開態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:14 毫歐 @ 10A,4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444111最大222:1.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:70nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:3640pF @ 16V
功率_最大:1.6W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC N
包裝:剪切帶 (CT)
廠 商:ON [ ON SEMICONDUCTOR ]
描 述:Power MOSFET 2 Amps, 20 Volts
大 。120K