型號(hào)：NTMS10P02R2
類別：FET - 單
制造商：ON Semiconductor
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
描述：MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
系列：-
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.8A
開態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 10A，4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444111最大222：1.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：3640pF @ 16V
功率_最大：1.6W
安裝類型：表面貼裝
封裝__外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N
包裝：剪切帶 (CT)
廠 商：ON [ ON SEMICONDUCTOR ]
描 述：Power MOSFET 2 Amps, 20 Volts
大 小：120K
