型號:NTMSD6N303R2
類別:FET - 單
制造商:ON Semiconductor
封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
描述:MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
系列:FETKY™
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):二極管(隔離式)
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6A
開態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:32 毫歐 @ 6A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:2.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:950pF @ 24V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC N
包裝:帶卷 (TR)
廠 商:ON [ ON SEMICONDUCTOR ]
描 述:Power MOSFET 6 Amps, 30 Volts N−Channel SO−8 FETKY
大 。233K