型號：NTR1P02LT1G
類別：FET - 單
制造商：ON Semiconductor
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
描述：MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23
系列：-
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.3A
開態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：220 毫歐 @ 750mA，4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444111最大222：1.25V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：5.5nC @ 4V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：225pF @ 5V
功率_最大：400mW
安裝類型：表面貼裝
封裝__外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）
包裝：帶卷 (TR)
廠 商：ON [ ON SEMICONDUCTOR ]
描 述：Power MOSFET −20 V, −400 mA, P−Channel SOT−23 Package
大 �。�56K
QQ：358410056 復(fù)制
