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型號:  廠家:  批號:  封裝:  精確搜索 
詳細參數(shù)
型號:NTR1P02LT1G
類別:FET - 單
制造商:ON Semiconductor
封裝:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
描述:MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23
系列:-
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.3A
開態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:220 毫歐 @ 750mA,4.5V
Id時的Vgs333th444111最大222:1.25V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.5nC @ 4V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:225pF @ 5V
功率_最大:400mW
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236)
包裝:帶卷 (TR)
PDF 下載
廠 商:ON [ ON SEMICONDUCTOR ]
描 述:Power MOSFET −20 V, −400 mA, P−Channel SOT−23 Package
大 小:56K
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