型號:NVD5117PLT4G
類別:FET - 單
制造商:ON Semiconductor
封裝:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
描述:MOSFET P-CH 60V 61A DPAK
系列:-
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:61A
開態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:16 毫歐 @ 29A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:2.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:85nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:4800pF @ 25V
功率_最大:4.1W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝:DPAK-3
包裝:剪切帶 (CT)
廠 商:EDI [ Electronic devices inc. ]
描 述:NIGHT VISION H.V. RECTIFIER DIODES & ARRAYS
大 。51K