型號:NVMS10P02R2G
類別:FET - 單
制造商:ON Semiconductor
封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
描述:MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
系列:-
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:10A
開態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:-
Id時(shí)的Vgs333th444111最大222:-
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:-
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC N
包裝:帶卷 (TR)