型號:PH8030L,115
類別:FET - 單
制造商:NXP Semiconductors
封裝:SC-100,SOT-669,4-LFPAK
描述:MOSFET N-CH 30V 76.7A LFPAK
系列:TrenchMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:76.7A
開態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:5.9 毫歐 @ 25A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:2.15V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:15.2nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2260pF @ 12V
功率_最大:62.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:SC-100,SOT-669,4-LFPAK
供應(yīng)商設(shè)備封裝:LFPAK,Power-SO8
包裝:帶卷 (TR)
廠 商:NXP [ NXP ]
描 述:N-channel TrenchMOS logic level FET
大 。96K