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型號(hào):  廠家:  批號(hào):  封裝:  精確搜索 
詳細(xì)參數(shù)
型號(hào):PHB101NQ04T,118
類別:FET - 單
制造商:NXP Semiconductors
封裝:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
系列:TrenchMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:40V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:75A
開(kāi)態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫歐 @ 25A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444111最大222:4V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:36.6nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2020pF @ 25V
功率_最大:157W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK
包裝:帶卷 (TR)
PDF 下載
廠 商:PHILIPS [ PHILIPS SEMICONDUCTORS ]
描 述:N-channel enhancement mode field-effect transistor
大 。339K
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供貨商
型號(hào)
廠家
批號(hào)
數(shù)量
封裝
單價(jià)/備注
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