型號(hào):PHB32N06LT,118
類別:FET - 單
制造商:NXP Semiconductors
封裝:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
描述:MOSFET N-CH 60V 34A D2PAK
系列:TrenchMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:34A
開態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:37 毫歐 @ 20A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444111最大222:2V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1280pF @ 25V
功率_最大:97W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK
包裝:帶卷 (TR)
廠 商:PHILIPS [ PHILIPS SEMICONDUCTORS ]
描 述:N-channel enhancement mode field-effect transistor
大 。339K