型號:PHD20N06T,118
類別:FET - 單
制造商:NXP Semiconductors
封裝:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
描述:MOSFET N-CH 55V 18A SOT428
系列:TrenchMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:55V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:18A
開態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:77 毫歐 @ 10A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:4V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:422pF @ 25V
功率_最大:51W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝:D-Pak
包裝:帶卷 (TR)
廠 商:ITT [ ITT Industries ]
描 述:Fiber Optics
大 。98K