型號:PHK04P02T,518
類別:FET - 單
制造商:NXP Semiconductors
封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
描述:MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC
系列:-
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:16V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:4.66A
開態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:120 毫歐 @ 1A,4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444111最大222:600mV @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:7.2nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:528pF @ 12.8V
功率_最大:5W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SO
包裝:帶卷 (TR)
廠 商:PHILIPS [ PHILIPS SEMICONDUCTORS ]
描 述:P-channel enhancement mode MOS transistor
大 小:111K