型號：PHKD13N03LT,118
類別：FET - 陣列
制造商：NXP Semiconductors
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
描述：MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 8SOIC
系列：TrenchMOS™
FET型：2 個 N 溝道（雙）
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10.4A
開態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 8A，10V
Id時的Vgs333th444111最大222：2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.7nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：752pF @ 15V
功率_最大：3.57W
安裝類型：表面貼裝
封裝__外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO
包裝：帶卷 (TR)
廠 商：PHILIPS [ PHILIPS SEMICONDUCTORS ]
描 述：P-channel enhancement mode MOS transistor
大 �。�111K
