型號:PHM12NQ20T,518
類別:FET - 單
制造商:NXP Semiconductors
封裝:8-VDFN 裸露焊盤
描述:MOSFET N-CH 200V 14.4A SOT685-1
系列:TrenchMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:200V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:14.4A
開態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:130 毫歐 @ 12A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:4V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1230pF @ 25V
功率_最大:62.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:8-VDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝:8-HVSON
包裝:帶卷 (TR)
廠 商:NXP [ NXP ]
描 述:TrenchMOS standard level FET
大 。224K