型號(hào):PHM21NQ15T,518
類(lèi)別:FET - 單
制造商:NXP Semiconductors
封裝:8-VDFN 裸露焊盤(pán)
描述:MOSFET N-CH 150V 22.2A SOT685-1
系列:TrenchMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓333Vdss444:150V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:22.2A
開(kāi)態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:55 毫歐 @ 15A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444111最大222:4V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:36.2nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2080pF @ 25V
功率_最大:62.5W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝__外殼:8-VDFN 裸露焊盤(pán)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-HVSON
包裝:帶卷 (TR)
廠(chǎng) 商:POLYFET [ Polyfet RF Devices ]
描 述:The PHM008 is a dual stage amplifier specifically designed for Land Mobile
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