型號(hào):PHT11N06LT,135
類別:FET - 單
制造商:NXP Semiconductors
封裝:TO-261-4,TO-261AA
描述:MOSFET N-CH 55V 10.7A SOT223
系列:TrenchMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:55V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:4.9A
開態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:40 毫歐 @ 5A,5V
Id時(shí)的Vgs333th444111最大222:2V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1400pF @ 25V
功率_最大:8.3W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝:SC-73
包裝:帶卷 (TR)
廠 商:VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:High Precision Wraparound - High Temperature (230 °C) Thin Film Chip Resistors
大 。107K