型號(hào):PMDPB30XN,115
類別:FET - 陣列
制造商:NXP Semiconductors
封裝:*
描述:MSOFET N-CH DUAL 20V HUSON6
系列:-
FET型:2 個(gè) N 溝道(雙)
FET特點(diǎn):邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:4A
開態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:40 毫歐 @ 3A,4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444111最大222:900mV @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:21.7nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:660pF @ 10V
功率_最大:490mW
安裝類型:*
封裝__外殼:*
供應(yīng)商設(shè)備封裝:*
包裝:*
廠 商:CENTRAL [ Central Semiconductor Corp ]
描 述:SILICON POWER DARLING TRANSISTORSl
大 。154K