型號(hào):PMV60EN,215
類別:FET - 單
制造商:NXP Semiconductors
封裝:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
描述:MOSFET N-CH 30V 4.7A SOT-23
系列:TrenchMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:4.7A
開態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:55 毫歐 @ 2A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444111最大222:2V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:9.4nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 30V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-236AB
包裝:帶卷 (TR)
廠 商:PHILIPS [ NXP Semiconductors ]
描 述:20 V, 5.8 A N-channel Trench MOSFET
大 小:839K