型號(hào):SI4500BDY-T1-E3
類(lèi)別:FET - 陣列
制造商:Vishay Siliconix
封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
描述:MOSFET N/P-CH HALF BRG 20V 8SOIC
系列:TrenchFET®
FET型:N 和 P 溝道
FET特點(diǎn):邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6.6A,3.8A
開(kāi)態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:20 毫歐 @ 9.1A,4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444111最大222:1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.3W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝__外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC N
包裝:剪切帶 (CT)
廠 商:VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
大 。282K