型號:SI8499DB-T2-E1
類別:FET - 單
制造商:Vishay Siliconix
封裝:6-MICRO FOOT?
描述:MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT
系列:TrenchFET®
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:16A
開態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:32 毫歐 @ 1.5A,4.5V
Id時的Vgs333th444111最大222:1.3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 10V
功率_最大:13W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:6-MICRO FOOT?
供應(yīng)商設(shè)備封裝:6-Micro Foot?
包裝:剪切帶 (CT)
廠 商:VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
大 。137K