型號(hào):SIE876DF-T1-GE3
類別:FET - 單
制造商:Vishay Siliconix
封裝:10-PolarPAK?(L)
描述:MOSFET N-CH D-S 60V POLARPAK
系列:TrenchFET®
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:60A
開態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:6.1 毫歐 @ 20A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444111最大222:4.4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:77nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:3100pF @ 30V
功率_最大:125W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:10-PolarPAK?(L)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:10-PolarPAK?(L)
包裝:帶卷 (TR)
廠 商:VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
大 。209K