型號：SIR662DP-T1-GE3
類別：FET - 單
制造商：Vishay Siliconix
封裝：PowerPAK? SO-8
描述：MOSFET N-CH 60V 60A 8-SO PWRPAK
系列：TrenchFET®
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：60V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：60A
開態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：2.7 毫歐 @ 20A，10V
Id時的Vgs333th444111最大222：2.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：96nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：4390pF @ 30V
功率_最大：104W
安裝類型：表面貼裝
封裝__外殼：PowerPAK? SO-8
供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8
包裝：剪切帶 (CT)
廠 商：EVERLIGHT [ EVERLIGHT ELECTRONICS CO., LTD ]
描 述：Chip Infrared LED With Right Angle Lens
大 �。�213K
