型號(hào)：SPB80N03S2-03
類別：FET - 單
制造商：Infineon Technologies
封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
描述：MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
系列：OptiMOS™
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A
開態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：3.1 毫歐 @ 80A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444111最大222：4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：150nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：7020pF @ 25V
功率_最大：300W
安裝類型：表面貼裝
封裝__外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝：P-TO263-3
包裝：帶卷 (TR)
廠 商：SSDI [ Solid States Devices, Inc ]
描 述：10 AMP 20 VOLTS BYPASS DIODE ASSEMBLY
大 �。�50K
QQ：2433532182 復(fù)制
