型號(hào):SQD23N06-31L-GE3
類別:FET - 單
制造商:Vishay Siliconix
封裝:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
描述:MOSFET N-CH D-S 60V TO252
系列:TrenchFET®
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:23A
開態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:31 毫歐 @ 15A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444111最大222:2.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:845pF @ 25V
功率_最大:37W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-252,(D-Pak)
包裝:帶卷 (TR)