型號(hào):STN2NE10L
類(lèi)別:FET - 單
制造商:STMicroelectronics
封裝:TO-261-4,TO-261AA
描述:MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT-223
系列:STripFET™
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.8A
開(kāi)態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:400 毫歐 @ 1A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444111最大222:3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:345pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝__外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-223
包裝:帶卷 (TR)
廠(chǎng) 商:ST [ STMICROELECTRONICS ]
描 述:N-CHANNEL 100V - 0.33ohm - 2A SOT-223 STripFET POWER MOSFET
大 。87K