型號：TPS1100D
類別：FET - 單
制造商：Texas Instruments
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
描述：MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC
系列：-
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：15V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.6A
開態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 1.5A，10V
Id時的Vgs333th444111最大222：1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：5.45nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
功率_最大：791mW
安裝類型：表面貼裝
封裝__外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝：8-SOIC
包裝：管件
廠 商：TOKEN [ Token Electronics Industry Co., Ltd. ]
描 述：TPSDC Chip Low DCR Power Inductors
大 �。�442K
QQ：2885524788 復制
